报告题目:二维晶体的原子制造与应用

报告人:彭海琳教授  北京大学

时  间：2020年11月7日，11：30-12:10

地 点：图书馆明德厅

报告简介:

石墨烯等高迁移率二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质及广阔的应用前景。本报告将介绍最近几年我们课题组和合作者在高迁移率二维晶体材料（石墨烯、金属硫氧族半导体）的控制生长方法、制备装备研发与功能器件应用方面的进展：1）建立和发展了精确调控石墨烯薄膜的CVD生长方法，实现了4~6英寸无褶皱石墨烯单晶晶圆、大面积石墨烯薄膜的制备装备研发、连续批量制备和绿色无损转移，开发了高质量石墨烯薄膜透射电镜载网，并成功应用于高分辨冷冻电镜成像和单原子检测；2）首次发现并制备了一类全新的超高迁移率二维氧化物半导体芯片材料（硒氧化铋，Bi₂O₂Se），开发了二维Bi₂O₂Se晶体的一系列制备方法，在高速低功耗电子器件、量子输运器件、室温超快高敏红外光探测、痕量气体传感器等方面展现出优异性能。

报告人简介：

彭海琳，北京大学教授、国家杰出青年基金获得者、国家万人计划领军人才。吉林大学学士（2000年），北京大学博士（2005年），斯坦福大学博士后（2005-2009年），2009年到北京大学工作至今，从事石墨烯、拓扑绝缘体和二维硫氧族半导体等高迁移率二维材料的制备方法与器件应用基础研究。已发表论文200余篇（含Science和Nature子刊20余篇），撰写中文专著两部，授权专利30余项。连续入选“科睿唯安”高被引学者榜单，曾获2017年Small青年科学家创新奖、第二十届茅以升北京青年科技奖、国家自然科学奖二等奖、2018年教育部青年科学奖等荣誉。